等发展，其在整个产业链中扮演的角色将更重要。过去，我国的存储芯片基本依赖于进口，、SK海力士、美光等美日韩企业占据主要市场占有率。自2014年我国颁布了《国家产业高质量发展推进纲要》，经过政府和企业近几年潜心的努力和投入，已形成包括发展NAND Flash的长江存储、专注移动式内存的合肥长鑫以及致力于利基型内存的福建晋华三大阵营。这三大存储芯片基地分别在当地加紧建设存储芯片工厂，合肥长鑫8Gb LP产业的一个里程碑。既然2018年将成为国产存储芯片主流化发展的元年，那么这三大领头羊研发和投产进展如何？

  2016年12月，以长江存储为主体的国家存储器基地正式开工建设，这中间还包括3座全球单座洁净面积最大的3D NAND Flash FAB厂房、1座总部研发大楼和其他若干配套建筑，核心厂区占地面积约1717亩，预计项目建成后总产能将达到30万片/月，年产值将超过100亿美元。经过一年多的布局，目前，长江存储已经在武汉、北京、上海、台北、东京、硅谷均设有研发基地。

  长江存储以武汉新芯现有的12英寸先进集成电路研发技术与生产制造能力为基础，采取自主研发与国际合作双轮驱动的方式，已于2017年研制成功了中国第一颗3D NAND闪存芯片，填补了国内空白。

  2018年4月，由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北集成电路业投资基金、湖北科投共同投资建设的国家存储器基地项目芯片生产机台正式进场安装，这标志着国家存储器基地从厂房建设阶段进入量产准备阶段。同时紫光集团全球执行副总裁暨长江存储执行董事长高启全更是披露了一个振奋人心的好消息：长江存储的3D NAND闪存已经获得第一笔订单，总计10776颗芯片，将用于8GB USD存储卡产品。

  在CITE2018展会上开幕式上，紫光集团董事长赵伟国宣布，紫长江存储32层64G3D NAND Flash存储器将会在2018年达成小规模量产的目标，2019年64层128G 3DNAND Flash储器则将会进入规模研发的阶段。

  2018年5月，长江存储购买自荷兰ASML的光刻机运抵武汉天河机场。这是长江存储的首台光刻机，不过这台机器并不是最新的EUV光刻机，而是193nm沉浸式光刻机，可用于产20-14nm工艺的3D NAND闪存晶圆，新的光刻机的进厂，也标志着长江存储32层3D NAND Flash即将进入量产。

  合肥长鑫集成电路有限责任公司是由合肥市产业投资控股（集团）有限公司和合肥产投新兴战略产业高质量发展合伙企业（有限合伙）投资建立的。企业成立于2016年，由中芯国际前CEO王宁国主导。

  2017年5月，长鑫宣布，预计由合肥长鑫投资72亿美元，兴建12寸晶圆厂以发展DRAM产品，预计最大月产将高达12.5万片规模。

  2017年10月，合肥长鑫与兆易创新合作开展工艺制程19nm存储器的12英寸晶圆存储器（含DRAM等）研发项目。项目内容为在合肥市经济技术开发区空港经济示范区内开展工艺制程19nm 存储器的 12 英寸晶圆存储器（含 DRAM 等）的研发，目标是在 2018 年12 月 31 日前研发成功，即实现产品良率（测试电性良好的芯片占整个晶圆的比例）不低于 10%。目前双方合作非常顺利。

  2018年4月份，王宁国出席合肥举办的“国家集成电路重大专项走进安徽活动”表示，合肥长鑫的一厂厂房已经于2018年1月建设完成，设备也开始安装。根据计划，长鑫将于2018年年底推出8Gb DDR4工程样品，2019年三季度推出8Gb LPDDR4，到2019年年底，产能将达到2万片一个月。从2020年开始，公司则开始规划二厂，2021年则完成17nn的研发。

  2018年7月，合肥长鑫8Gb LPDDR4正式投片，完全在上述投产时间计划之内。在短短两年的发展中，合肥长鑫在元件、设计、光罩、制造和测试领域都做了不少的积累。截至2017年底，已申请专利354件，2018年计划申请专利1155件：其中计划申请元件专利126件、设计专利144件、成像专利224件。计划至2018年底，申请专利数量总计达到1509件。

  2016年2月，福建省集团、晋江能源投资集团有限公司等共同出资设立福建晋华集成电路有限公司。2016年5月，福建晋华与***联华电子签署技术合作协议，投资56.5亿美元，在福建省晋江市建设12寸内存晶圆厂生产线，开发先进存储器技术和制程工艺，并开展有关产品的制造和销售。

  福建晋华集成电路公司的生产线月底完成，为三季度的大规模量产铺平了道路。到2018年年底投产后，将形成月处理6万片12英寸晶圆的产能，这将填补中国在内存芯片领域的空白。

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