液晶彩显常用的ROM芯片

时间: 2023-10-27 20:11:45 |   作者: 媒体公告

  在显示器中,为保存OSD设置参数和调取预置显示模式,使主机能够发现显示器型号以及存储MCU程序数据,都需要不同型号的FLASH芯片。

  在液晶驱动板上,24C16一般用来存储显示器的用户模式和预置模式,以及用户调整的OSD面板的亮度、对比度、锐度、色温等数据,芯片实物如图13所示,工厂模式的预置数据也存在24C16中。显示器的预置模式和用户模式越多,芯片的存储空间就越大。所以,我们在实际维修中可能会看到用24C32、24C08来存储OSD数据。

  该芯片中的数据非常重要。如果数据意外损坏或丢失,会导致无法开机、图像异常、检测不到信号、偏色、花屏等非常奇怪的故障现象。

  该芯片-般用来存储显示器的型号、生产厂家、支持分辨率类型、生产日期等信息,如图14所示。该芯片一般位于VGA和DVI接口附近,用来完成与PC主机的信息交换I作。如果VGA接口没有该芯片,主 机将不能识别显示器型号,无法自动匹配显示器所支持的分辨率,只能显示即插即用显示器。不过,VGA接口附近的该芯片数据损坏。不影响显示器工作。即使空白或没有,显示器也可正常工作。如果是DVI接口没有该芯片或芯片中的数据损坏,则DVI接口设备必须在电脑重启后才可使用,不能在主机正常工作时插上即使用。该类芯片在三星液晶中使用的型号为A21SC,读法与24C02相同。

  该芯片如图15所示,多用于存储OSD设置参数,引脚排列与24C02、24C08、24C16相同。而且该系列芯片,可用大容量的代换小容量的。

  图16两个是三星液晶中常用的OSD参数存储芯片,虽然型号为A81SC、S24CS08,但其读写与24C08相同。可以与24C08直接代换。

  该芯片如图17所示,一般用于集成MCU的殚芯片方案中,如GM2110、GM5110等液晶显示器中,用来存储MCU程序,存储空间为64kB,工作电压为+5V.

  该芯片如图18所示,是用于单芯片的液晶方案中,如GM2110等,存储空间为64kB,工作电压为+3.3V.

  在这两年上市的液晶显示器中凡是使用 GM2621、GM5726、TS-UM16AL-LF、TSUM57AK、TSUM-58等单芯片的液晶中,都外置有128kB存储器,用来存储MCU程序。该芯片如图19所示,其存储空间为128kB,工作电压3.3V,液晶常用的封装是SOIC8.

  友达和京东方的17、19、22英寸的液晶面板上都使用了SOIC8和TSSOP8封装的24C32和24C02的FLASH芯片,来存储屏的工作参数信息,如图20、21所示。在笔记本30P片插的宽屏液晶面板上也都使用了FLASH芯片用来存储屏的生产厂家、生产日期、使用时间、工作参数等信息。如果这些信息被改写或丢失,屏将无法工作。也就是说,如果这个芯片没了或坏了,屏就不能点亮了。

  我们在对笔记本换屏时,如果遇到屏的接口正常,但换上后屏不亮,应该考虑更换码片(把坏屏的码片取下来焊在新屏上),或者重写码片信启、数据。

  5月28日消息,三星半导体事业部总裁权五铉周一表示,内存芯片价格已经触底,但短期内不会大幅反弹。 据国外媒体报道,权五铉在周二的会议上表示,内存芯片价格将不会再持续处于低谷,但内存产业今年下半年的前景仍不明朗。 此前,德意志银行也曾预计内存产业已经处于波谷,供应增长的明显减速将使得价格有望在2009年结束前出现反弹。 在内存生产厂商上季度因存货过多导致包括三星在内的主要厂商出现亏损后,DRAM内存芯片的价格在过去的两个月中已出现反弹。对此,权五铉表示:“计算机内存产业的低谷已经过去了,但因全球经济的不确定性,我们很难预期价格会大幅上涨。” 权五铉称:“由于次贷危机和中国所发生的事件所引发的不确定因素

  为了追赶摩尔定律,麻省理工与斯坦福两所大学的计算机科学家和电气工程师们,携手开发出了一种集成了内存和处理器、并采用碳纳米管线D 计算芯片。该团队制造了一台小规模的碳纳米管(CNT)计算机,它能够运行程序、简单的多任务操作系统、以及执行 MIPS 指令。项目领导人 Max Shulaker 相信,该技术能够克服逻辑电路和内存之间的通讯瓶颈。 CNT 芯片渲染图,各层之间通过纳米导线来通讯。 当前工程师们所面临的一个问题,就是日益增长的处理器(或存储)性能、与不断往返的大量数据传输之间的矛盾。即使当前最快的 CPU 和 RAM,仍受制于传统的并行总线架构。 而斯坦福/麻省理工研究团队的 3D 芯片,则

  9月21日消息,据彭博社报道,知情人士表示,在预期需求放缓的情况下,三星电子计划明年降低内存芯片产量增幅,以确保供应紧缩。 上述知情人士表示,此举将有助于维持或推高芯片价格。目前,三星预计,DRAM内存的产能位元增长率(bit growth)将低于20%,而NAND闪存的产能位元增长率将为30%。 今年早些时候,三星曾预计,2018年DRAM内存和NAND闪存的位元增长率分别为20%和40%。位元增长率指的是内存的产量,是衡量内存芯片市场需求的关键指标。 本月,芯片设备制造商KLA-Tencor Corp曾警告,芯片销量将迎来“旱灾”,这引发了人们的担忧,即芯片行业长达两年的超级周期也许将中止。” 三星是全球最大的DR

  近几年再次兴起的AI热潮,不仅引发了芯片巨头们的AI芯片战,更让科技巨头们纷纷开始了AI芯片的研发。在AI芯片的争夺中,算力首先成为了焦点。不过,算力提升之后,算力与内存的不匹配又成为了阻碍AI向前发展的关键。此时,一家成立于2017年的初创公司提出的存储优先架构(SFA)表示很好地解决了内存墙的问题,事实是否如此? 【 图片来源:supernovainvest 】 AI芯片的真正问题是内存墙 算力、算法、数据被认为是AI向前发展的三个关键因素,更高的算力自然必不可少,这也直接驱动了AI芯片公司们推出更高算力的AI芯片。不过,目前对于AI芯片的定义并没有一个严格和公认的标准,一个非常宽泛的看法是,面向人工智能应用的芯片都可以

  ,即将轰动市场? /

  10月29日,澜起科技宣布其DDR5第一子代内存接口及模组配套芯片已成功实现量产。该系列芯片是DDR5内存模组的重要组件,包括寄存时钟驱动器 (RCD)、数据缓冲器 (DB)、串行检测集线器 (SPD Hub)、温度传感器 (TS) 和电源管理芯片 (PMIC),可为DDR5 RDIMM、LRDIMM、UDIMM、SODIMM等内存模组提供整体解决方案。 公开资料显示,DRAM行业从DDR3切换至DDR4后,全球内存接口芯片市场规模在2016年-2018年期间从2.8亿美元增长到5.7亿美元,澜起的业绩随之也经历了一轮快速成长,相关产品的收入从5.6亿元人民币增长到17.5亿元人民币。有券商分析师认为,随着DDR5相关产品上量,

  据外媒报道,加州理工大学的研究人员们,已经开发出了一款能够以“光的形式”、“纳米级速度”存储量子信息的计算机芯片。这标志着量子计算机和网络的一项最新突破,在更小的设备上实现更快的信息处理和数据传输。传统计算机系统中的内存部件,只能将信息以“0”或“1”的形式存储。尽管仍处于实验阶段,但量子计算机的基本原理还是一样的,即以“量子比特”来存储数据 —— 除了“0”和“1”,量子比特还允许两种状态共存。 类似 Caltech 开发的这种光量子设备,能够以光子的形式存储和携带信息。因其没有电荷或质量,所以更快速、更安全。论文一作 Tian Zhong 表示: 这项技术不仅可以让量子内存设备极小化,还能够更好地控制单个光子和原子之间的交互。

  近日,美国最大的内存芯片生产商美光科技和台湾第二大芯片生产商南亚科技签署了组建合资企业和技术研发合作的协议,此前,索尼和全球第三大内存芯片制造商奇梦达于去年10月组建合资企业,设计消费电子产品和图形用内存芯片。这一系列举措,被解读为“芯片制造商肩上所承受的压力正迫使它们寻求合作伙伴”,而所谓“压力”在近期表现为“在过去一年中,DRAM芯片的价格下跌了近80%”。 确实,存储芯片产业素来以其价格波动剧烈而闻名,芯片价格在数周之内涨跌20%-30%是常有的事,价格波动的剧烈程度与存储芯片需求的稳定增长是不相称的,我们认为,这主要原因是芯片生产的投资到形成产能进而增加供给的时间延迟造成的,这就叫“蛛网模型效应”,即生产者想增

  据台湾媒体援引尔必达公司CEO Yukio Sakamoto的说法报道,日本内存厂商尔必达计划联合台系内存厂商在大陆兴建芯片厂,据称该芯片厂将于2012年建成投入使用。 据悉该芯片厂将负责生产大陆消费者所需要的芯片产品,该媒体还报道称尔必达很可能会寻求大陆政府对该项目的资金援助。 据分析,台湾茂德公司是尔必达该项目最有可能的合作伙伴之一,而力晶半导体的可能性则位居第二。该报道还称这间合资芯片厂可能会是一间基于200mm晶圆技术的工厂,将专门负责生产非标存储芯片产品。 早在2008年8月份,尔必达曾公布计划说,已与中国风险投资公司SVG达成协议,双方将共同组建合资公司,在苏州建设专门生产最先

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